據(jù)手機(jī)無線充線路板小編了解，隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程，正式進(jìn)入到了測(cè)試階段，也預(yù)計(jì)將在2023年年末就會(huì)看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場(chǎng)。

  前段時(shí)間，三星公布了自家的3nm制程工藝已經(jīng)達(dá)到了可以批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)槿枪に囋隍旪?88和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意，所以仍有不少相關(guān)機(jī)構(gòu)認(rèn)為臺(tái)積電的3nm會(huì)優(yōu)于三星工藝，但目前仍處在相關(guān)芯片工藝參數(shù)爆料階段，并不能說明最后使用相關(guān)工藝的芯片性能有差別。

  據(jù)手機(jī)無線充線路板小編了解，三星電子的芯片合同制造業(yè)務(wù)周二表示，盡管目前全球經(jīng)濟(jì)不景氣，但它計(jì)劃到2027年將其先進(jìn)芯片的產(chǎn)能提高三倍以上，以滿足強(qiáng)勁的需求。這家僅次于臺(tái)積電的世界第二大代工廠的目標(biāo)是到2025年大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)的2nm技術(shù)芯片，到2027年大規(guī)模生產(chǎn)1.4nm芯片，這些芯片將用于高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。據(jù)此前報(bào)道，三星主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，并且就現(xiàn)在的進(jìn)度來看，有望領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和英特爾。

  據(jù)手機(jī)無線充線路板小編了解，臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)，2nm預(yù)計(jì)于2025年量產(chǎn)。臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)首次采用納米片架構(gòu)，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%；在相同頻率下，功耗降低25%至30%。除臺(tái)積電和三星外，英特爾也在這兩年持續(xù)在芯片制造方向持續(xù)發(fā)力，目前雖然還在使用7nm技術(shù)，但據(jù)相關(guān)消息，英特爾已經(jīng)在多處建立芯片中心，同樣也被爆料將于2025年發(fā)布2nm工藝。