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深聯(lián)電路板

19年專注HDI研發(fā)制造行業(yè)科技創(chuàng)新領(lǐng)跑者

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汽車軟硬結(jié)合板廠之美智庫(kù)提議美印兩國(guó)聯(lián)合建設(shè)晶圓代工產(chǎn)線

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人氣:1579發(fā)布日期:2023-06-25 09:11【

       汽車軟硬結(jié)合板廠了解到,受半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)與印度電子半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(IESA)委托,美國(guó)智庫(kù)信息技術(shù)與創(chuàng)新基金會(huì)(ITIF)日前發(fā)布一項(xiàng)新的初步評(píng)估報(bào)告,認(rèn)為印度將為半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)帶來(lái)巨大價(jià)值,并分析了美印兩國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的合作空間。

 

 

       美國(guó)和印度已經(jīng)在今年一月份達(dá)成協(xié)議,擴(kuò)大兩國(guó)企業(yè)、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和政府機(jī)構(gòu)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系和國(guó)防工業(yè)合作。作為這項(xiàng)名為關(guān)鍵和新興技術(shù) (iCET) 倡議的成果,該報(bào)告認(rèn)為印度已經(jīng)在外資配套政策、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等方面實(shí)現(xiàn)了重大改善,美印兩國(guó)在尋求增強(qiáng)半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力并深化全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈伙伴關(guān)系時(shí)有機(jī)會(huì)互利共贏。

 

       報(bào)告提出,美國(guó)芯片與科學(xué)法案包括為CHIPS國(guó)際技術(shù)安全和創(chuàng)新基金提供5億美元。這些資金的很大一部分應(yīng)分配給與印度利益相關(guān)項(xiàng)目。例如,為了支持設(shè)計(jì)和代工業(yè)發(fā)展,可以建立中小規(guī)模的聯(lián)合代工廠來(lái)驗(yàn)證創(chuàng)新芯片設(shè)計(jì)。

 

       電路板廠了解到,該資金的一部分還可用于印度和美國(guó)合作建立世界一流的研發(fā)中心和測(cè)試設(shè)施,用于開(kāi)發(fā)嵌入式系統(tǒng)和半導(dǎo)體產(chǎn)品,并可共同組建電子制造中心(EMC),加速技術(shù)成果轉(zhuǎn)化推廣,只需300萬(wàn)美元的資金就可以建立多達(dá)25個(gè)EMC。

 

       此外,報(bào)告還建議兩國(guó)應(yīng)合作開(kāi)發(fā)全面的跨國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)價(jià)值鏈地圖,以支持強(qiáng)大且有彈性的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

 

       同樣,印度將成為人才和技術(shù)的主要供應(yīng)國(guó),以培養(yǎng)科學(xué)家、工程師和技術(shù)人員,適應(yīng)兩國(guó)半導(dǎo)體活動(dòng)不斷增長(zhǎng)的需求,2023年5月,印度官員已經(jīng)與普渡大學(xué)簽署了關(guān)于能力建設(shè)、研發(fā)和行業(yè)參與的諒解備忘錄(MoU)。

 

       印度和美國(guó)應(yīng)該在人才開(kāi)發(fā)方面進(jìn)行合作。價(jià)值2億美元的芯片法案勞動(dòng)力教育基金將為聯(lián)合課程開(kāi)發(fā)、碩士和博士生交換創(chuàng)造機(jī)會(huì)。提高相關(guān)工程領(lǐng)域的合作水平,探索兩國(guó)在這一關(guān)鍵領(lǐng)域的學(xué)生乃至工人流動(dòng)的可能新途徑。此外,勞動(dòng)力發(fā)展計(jì)劃還應(yīng)考慮如建筑業(yè),因?yàn)榇祟惞と藢⑹墙ㄔO(shè)和運(yùn)營(yíng)半導(dǎo)體工廠的關(guān)鍵。

 

       HDI廠了解到,2023年5月,美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)(NSF)和印度政府科學(xué)技術(shù)部(DST)簽署了一項(xiàng)研究合作實(shí)施安排,允許兩國(guó)研究人員合作申請(qǐng)研究項(xiàng)目,將在NSF接受單一審查流程。這將為擴(kuò)大美國(guó)和印度合作者之間的微電子研究活動(dòng)創(chuàng)造一條新途徑。

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外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
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板厚:1.6mm
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最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.152mm
最小線距:0.152mm
表面處理:沉金
外形公差:+/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
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