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深聯(lián)電路板

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汽車(chē)軟硬結(jié)合板之悲喜交加的韓國(guó)半導(dǎo)體

文章來(lái)源:作者:梁波靜 查看手機(jī)網(wǎng)址
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人氣:4672發(fā)布日期:2018-10-25 10:48【

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是韓國(guó)的國(guó)家主力產(chǎn)業(yè),國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值(GDP)貢獻(xiàn)度為3.6%,雇傭職工16.5萬(wàn),約占出口品種的21%、股市總市值的25%。尤其是DRAM與閃存的世界市場(chǎng)占有率分別為74%與49%,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在主導(dǎo)全世界信息通信(IT)產(chǎn)業(yè)。隨著智能手機(jī)的配置不斷升級(jí)以及大數(shù)據(jù)的需求增加,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過(guò)去兩年里迎來(lái)了超級(jí)繁榮。

但近來(lái)摩根士丹利與高盛集團(tuán)等全球投資銀行接連表達(dá)了對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面意見(jiàn)。他們認(rèn)為,由于世界智能手機(jī)企業(yè)的存儲(chǔ)芯片的庫(kù)存過(guò)多,韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)過(guò)剩,半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展已經(jīng)達(dá)到了最高點(diǎn),明年定會(huì)呈下落趨勢(shì)。相反,三星電子與SK海力士反駁稱(chēng),即使明年存儲(chǔ)芯片的價(jià)格會(huì)有所下滑,但由于大數(shù)據(jù)需求的持續(xù)性增加與人工智能(AI)等新型存儲(chǔ)芯片需求的增加,半導(dǎo)體繁榮會(huì)一直持續(xù)。尤其是從2020年開(kāi)始,數(shù)據(jù)傳輸速度提高10倍的第5代(5G)移動(dòng)通信將開(kāi)始廣泛應(yīng)用于生活中,存儲(chǔ)芯片容量必須擴(kuò)大100倍,因此業(yè)界期待,全世界范圍的智能手機(jī)配置升級(jí)將會(huì)重現(xiàn)。

汽車(chē)軟硬結(jié)合板廠(chǎng)認(rèn)為:對(duì)于韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái),悲觀(guān)論與樂(lè)觀(guān)論二者共存。其中,威脅韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的挑戰(zhàn)要素也不少。

第一,支撐韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)繁榮的后方力量——半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件產(chǎn)業(yè)正在失去全球競(jìng)爭(zhēng)力。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)率分別為18%和48%,在過(guò)去的10年里停滯不前。

第二,優(yōu)秀的半導(dǎo)體研發(fā)人力正在極速減少。產(chǎn)業(yè)通商資源部的半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)事業(yè)援助預(yù)算從2009年的1000億韓元急跌至2017年的300億韓元,而最近新型研發(fā)預(yù)算則近乎為零。這導(dǎo)致首爾大學(xué)的半導(dǎo)體領(lǐng)域碩士、博士資源從2009年的100人減少至2017年的30人左右,現(xiàn)實(shí)狀況十分慘淡。

第三,中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正在展開(kāi)猛烈的追擊。中國(guó)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中提到,截至2025年,將追加投資1500億美元(約170萬(wàn)億韓元),將半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件的自給率提高至70%。當(dāng)前,中國(guó)國(guó)內(nèi)已經(jīng)有32家半導(dǎo)體制造(Fab)投入運(yùn)營(yíng),而福建晉華、睿力集成(INNOTRON)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)計(jì)劃從明年年初開(kāi)始批量生產(chǎn)DRAM與閃存。除此之外,中國(guó)企業(yè)還把購(gòu)買(mǎi)韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件企業(yè)的產(chǎn)品作為條件強(qiáng)力推進(jìn)并購(gòu)(M&A)或向中國(guó)轉(zhuǎn)移。此舉正在動(dòng)搖韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件企業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)。

從現(xiàn)在開(kāi)始,韓國(guó)企業(yè)、大學(xué)、政府應(yīng)該聯(lián)合起來(lái),迅速改善這些威脅韓國(guó)未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不利環(huán)境。首先,韓國(guó)半導(dǎo)體公司應(yīng)該與中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)拉開(kāi)技術(shù)差距。目前,韓國(guó)和中國(guó)的存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)差距已經(jīng)縮小到2~3年左右,中國(guó)正在后面窮追不舍。

其次,韓國(guó)國(guó)內(nèi)規(guī)模較小的半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件企業(yè)應(yīng)通過(guò)對(duì)可確保全球競(jìng)爭(zhēng)力的事業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行最低投資來(lái)構(gòu)筑早期測(cè)試平臺(tái),同時(shí)需要與韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)的設(shè)備、材料、零部件企業(yè)的積極參與,以及產(chǎn)業(yè)部的全方位支援。

第三,應(yīng)該重啟對(duì)半導(dǎo)體研究開(kāi)發(fā)優(yōu)秀人力資源的培養(yǎng)。中國(guó)為了半導(dǎo)體崛起,正在100所大學(xué)內(nèi)開(kāi)展培養(yǎng)10萬(wàn)名優(yōu)秀研發(fā)人才的項(xiàng)目。相反,韓國(guó)由于國(guó)家半導(dǎo)體研究與開(kāi)發(fā)預(yù)算的極速減少,培養(yǎng)相關(guān)人才的項(xiàng)目日漸萎縮。對(duì)于第四次工業(yè)革命的核心事業(yè)領(lǐng)域——人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、無(wú)人駕駛、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)等半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)部門(mén),正式投入研發(fā)預(yù)算迫在眉睫。

最后,應(yīng)該防止國(guó)家核心半導(dǎo)體技術(shù)與熟練的半導(dǎo)體技術(shù)人員的外流。

從2020年起,第5代移動(dòng)通信將開(kāi)始廣泛應(yīng)用于生活,第四次工業(yè)革命的核心事業(yè)領(lǐng)域?qū)w速成長(zhǎng)。這些領(lǐng)域的半導(dǎo)體需求將爆發(fā)式地增長(zhǎng)。若能盡快消除威脅韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的環(huán)境因素,韓國(guó)今后也將在確保全球競(jìng)爭(zhēng)力的同時(shí)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)引領(lǐng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

 

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通訊手機(jī)HDI
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型號(hào):GHS08K03479A0
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板材:EM825
板厚:0.8mm
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最小線(xiàn)寬:0.075mm
最小線(xiàn)距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金+OSP

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型號(hào):GHS06C03294A0
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板材:EM825
板厚:1.0mm
尺寸:92mm*118mm
最小線(xiàn)寬:0.075mm
最小線(xiàn)距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金

通訊模塊HDI
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型號(hào):GHS04K03404A0
階數(shù):4層一階+半孔
板材:EM825
板厚:0.6mm
尺寸:94.00*59.59mm
最小線(xiàn)寬:0.076mm
最小線(xiàn)距:0.076mm
最小孔徑:0.1mm
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5G模塊PCB
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板材:生益 S1000-2
板厚:1.6+/-0.16mm
最小孔徑:0.102mm
最小線(xiàn)寬:0.102mm
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P1.5顯示屏HDI
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型號(hào):GHS04C03605A0
層數(shù):4層一階
所用板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:24mm*116mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.13mm
最小線(xiàn)距:0.097mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:燈窩

間距:P1.5

P2.571顯示屏HDI
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型號(hào):GHS04C03429A0
階層:4層一階
板材:EM825 
板厚:1.6mm
尺寸:215.85mm*287.85mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.152mm
最小線(xiàn)距:0.152mm
表面處理:沉金
外形公差:+/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆帽子電鍍

間距:P2.571

P1.9顯示屏HDI
P1.9顯示屏HDI

型號(hào):GHM08C03113A0
階層:8層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:239.9mm*239.9mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.127mm
最小線(xiàn)距:0.127mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆

間距:P1.9

P1.923顯示屏HDI
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型號(hào):GHM06C03444A0
階層:6層二階
板材:EM825 
板厚:2.0mm
尺寸:199.85mm*299.85mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.127mm
最小線(xiàn)距:0.127mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.15/-0.05mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆

間距:P1.923

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